【导语】近期，存储芯片市场迎来新一轮涨价潮，多家头部企业纷纷上调产品报价，国内企业紧随其后。这一轮价格上涨的速度和幅度超出业内预期，引发市场广泛关注。专家指出，涨价潮源于供需两端的明显变化，供给端减产与需求端新兴需求崛起共同推动市场复苏。在此背景下，中国存储企业迎来发展新机遇，有望在市场份额、技术创新和产业生态建设等方面实现突破。

近期，存储芯片市场迎来了新一轮的涨价潮，多家存储头部企业纷纷宣布提高部分产品报价。国内存储企业也紧跟步伐，纷纷上调提货价格。在1个月之前，业界还普遍预估存储芯片价格有望在今年6月份或7月份启动上涨，如今上涨提前到来，存储市场是否进入了复苏期？

各大厂商集体提价底气来源于源自供需两端的双重激励

2025年5月初，三星与主要客户就提高DRAM芯片售价达成一致，并表示半导体行业整体DRAM价格都在上涨，这也是三星近一年来首次上调DRAM价格，具体比例因客户而异，但平均上调率已确定，DDR4将上调20%，DDR5上调约5%；闪迪宣布自4月1日起(qǐ)所有产品提价超过10%；美光不仅表示将(jiāng)针(zhēn)对(duì)新(xīn)订(dìng)单(dān)提(tí)高价格，平均涨幅约11%，还在3月25日发布涨价函，预计此次涨价幅度将在10%~15%；SK海力士也表示，其DDR5和eMMC存储芯片现货价格预计将上涨12%左右。

国内存储企业也紧跟步伐，纷纷上调提货价格。长江存储旗下零售品牌致态宣布将于4月起上调(diào)提货价格，涨幅可能超过10%。这一轮价格上涨的速度和幅度均超出了业内原先的预期。在1个月之前，业界还普遍预估存储芯片价格有望在今年6月份或7月份启动上涨，如今上涨提前到来，存储市场是否进入了复苏期？

专家表示，这一轮涨价潮的主要原因在于存储芯片市场供需两端发生了明显变化。供给端的减产策略与需求端的新兴需求崛起，共同推动了市场的复苏与价格的上涨。

目前，各大企业减产策略成效显著。2025年年初，由于智能手机和笔记本电脑等核心消费性电子产品出货量持续低迷，供应商对2025年上半年需求看法并不乐观，为避免进一步削弱利润率，美光、铠侠、闪迪、三星和SK 海力士等NAND Flash大厂纷纷启动减产计划。主要通过降低2025年稼动率和延后制程升级等方式达成减产目的。

以美光为例，其在2024财年净亏损达50.66亿美元，为(wèi)了(le)应(yīng)对(duì)这(zhè)一(yī)困(kùn)境(jìng)，美光从2024年9月开始削减NAND Flash闪存产量，并计划将减产幅度扩大至30%。三星也在2024年11月宣布减产，目标是将NAND Flash芯片产量减少15%~20%。这些减产行动使得市场上NAND Flash的供应量得到有效控制，为产品价格反弹铺垫了基础。随着价格触底、市场开始补库存，模组厂和OEM厂开始加大采购，Enterprise SSD回温更带动高端Wafer产品需求。集邦的最新调研数(shù)据(jù)显(xiǎn)示，预计2025年第二季度，NAND Flash价格将比第一季度上涨不超过0%~5%；3D NAND Wafers（多层垂直堆叠闪存晶圆）价格将环比上涨10%~15%；Client SSD（消费级固态硬盘）价格将环比上涨3%~8%。

此外，AI应用的“火力全开”成为驱动存储芯片市场需求快速提升的关键因素。随着AI技术在各领域的深入应用，对存储芯片的需求呈现出爆发式增长。特别是在AI服务器领域，需求增长尤为显著。2024年第二季度全球服务器市场收入达到了454.22亿美元，与去年同期相比增长了35%，AI服务器在整体服务器市场中的占比也持续攀升，现已接近30%。

AI服务器是智算中心提供AI计算能力的核心硬件，专为满足AI计算任务的高性能需求而设计。AI大模型需要用海量的数据进行训练、推理等，对数据进行深度挖掘后，再推送给通用数据中心，数据规模、数据调配工序将呈现爆发式增长，数据中心内部流量传输将更加密集，因此，对存储产品的需求也越来越高。

是德科技大中华区高速数字市场部经理李坚表示：“原来的人工智能做到是小算力、小模型，后来变成了中算力、中模型，而今天行业内做的是真正的大模型、大算力，大算力的一个非常基础的要求就是大带宽、大量的数据交换。存储方面，数据中心一般使用的DDR4、DDR5系列产品，速率在8.4GT/s。我们预计未来会上升到DDR6或DDR7。此外，我们很可能会使用HBM3、HBM3E或HBM4。和今天的DDR产品相比，会有一个数量级的提升。”

不仅如此，AI在智能手机、个人电脑、智能穿戴等领域的加速渗透，也进一步推动了对更高(gāo)容(róng)量(liàng)和(hé)更(gèng)高(gāo)性(xìng)能(néng)存(cún)储(chǔ)芯(xīn)片(piàn)的(de)需(xū)求(qiú)。目(mù)前(qián)AI手(shǒu)机(jī)的(de)DRAM配(pèi)置(zhì)已(yǐ)提(tí)升(shēng)至(zhì)16GB，AI个(gè)人(rén)电(diàn)脑(nǎo)设(shè)备(bèi)的(de)内(nèi)存(cún)容(róng)量(liàng)也(yě)普(pǔ)遍(biàn)已(yǐ)经(jīng)达(dá)到(dào)32GB。此(cǐ)外(wài)，智(zhì)能(néng)汽(qì)车(chē)有(yǒu)望(wàng)引(yǐn)入(rù)开(kāi)源(yuán)大(dà)模(mó)型(xíng)，也(yě)将(jiāng)进(jìn)一(yī)步(bù)提(tí)升(shēng)存(cún)储(chǔ)需(xū)求(qiú)，这(zhè)些都成为了存储市场复苏的关键推动力。

存储市场周期性与结构性变化交织

回顾过去几年，存储市场历经从下行周期到复苏的复杂历程。自2021年第三季度起，存储市场遭受重创，DRAM价格下跌57%，NAND价格同期下跌55%。这一时期，存储芯片产业陷入长达近两年的下行周期。市场下行主要源于供应商生产过剩，以及市场需求衰退，使得存储芯片市场供需失衡严重。加上全球经济环境的不确定性、消费电子市场的饱和，进一步冲击终端设备销量。2022年，全球智能手机出货量为12.1亿部，同比下降11.3%；全球PC出货量为2.92亿台，同比下降28.5%，创下自2009年以来的最大年度跌幅。

为扭转局面，各大存储芯片厂商纷纷减产。铠侠及美光率先在2022年第四季度启动减产，三星于2023年第二季(jì)度(dù)跟(gēn)进(jìn)。截(jié)至(zhì)2023年(nián)9月(yuè)，三(sān)星(xīng)削(xuē)减(jiǎn)NAND产(chǎn)量(liàng)，减(jiǎn)产(chǎn)幅(fú)度(dù)提(tí)升(shēng)到(dào)50%，减(jiǎn)产(chǎn)领(lǐng)域集中(zhōng)在(zài)128层(céng)以(yǐ)下(xià)制(zhì)程；SK海力士下半年再减少NAND Flash产量5%~10%；铠侠减少产能50%；美光NAND Flash产能减少30%。

从2023年下半年开始，市场出现积极变化。减产效应逐渐显现，终端需求也逐步回暖，存储芯片市场开始(shǐ)走(zǒu)出(chū)下(xià)行(xíng)周(zhōu)期(qī)。从(cóng)2023年(nián)10月(yuè)到(dào)截(jié)止(zhǐ)到(dào)2023年(nián)年(nián)底(dǐ)，现(xiàn)货(huò)市(shì)场(chǎng)NAND Flash价(jià)格(gé)指(zhǐ)数(shù)涨幅达40%。以三星、西部数据以及金士顿为代表的固态硬盘产品，价格显著回升，回升幅度普遍在100元至130元之间。需求端数据同样向好，2023年10月23日至11月3日期间，整体PC市场销量同比上升1.4%，平板市场销量同比增长13.5%，手机市场销量同比增长10.2%%。

进入2024年，全球AI浪潮兴起，成为推动存储需求爆发的关键因素，叠加终端需求持续回暖，存储芯片市场加速复苏，行业景气度攀升，价格上涨幅度扩大。2024年第一季度，存储销售额同比增长86%。DRAM芯片合约价格上涨多达20%，NAND Flash上涨多达23%~28%。到2024年第二季度，DRAM合约价季涨幅上修至13%~18%，NAND Flash合约价季涨幅同步上修至约15%~20%，延续强劲势头。行业头部企业业绩大幅增长，三星2024年第一季度营业利润激增931%；SK海力士2024年第一季度盈利超150亿元人民币，而去年同期该公司还亏损136亿元。

但到了2024年下半年，存储芯片市场又发生了动荡，从价格走势来看，在上半年普遍上涨之后，下半年市场走向急转直下，出现了明显的价格回落。自2024年第三季度起，存储价格逐季下滑，进入第四季度，这种跌势愈发明显，以消费类存储产品为例，价格下跌幅度高达30%，企业级存储产品价格也出现10%~20%的下滑。三星、美光、SK海力士、西部数据等企业继续使用减产策略应对，使得DRAM和NAND市场价格连续下跌，尤其是成熟制程的DDR4和LPDDR4X产品，价格压力极为突出。但HBM乘着GPU的东风狂涨500%，市场份额不断扩大，LPDDR5x、DDR5等新一代存储芯片的应用也在一定程度上缓冲了整体市场的下行压力。

而长江存储、长鑫存储等国内厂商，凭借本土供应链响应优势以及在部分技术领域的突破，在国内市场份额逐步提升，同时积极拓展海外市场，通过差异化竞争策略，在全球存储芯片市场中分得一杯羹。

再到2025年，存储市场逐渐进入复苏期，专家认为，5年期间，存储市场既有传统周期性波动因素作用，又受到AI等新兴需求的影响，虽短期内市场波动复杂难辨，但长期来看，存储市场可能不会完全遵循过往典型的周期性规律，而是进入周期性与(yǔ)结(jié)构(gòu)性(xìng)变(biàn)化(huà)交(jiāo)织(zhī)的(de)新(xīn)阶(jiē)段(duàn)，周(zhōu)期(qī)性(xìng)特(tè)征(zhēng)或(huò)有(yǒu)所(suǒ)弱(ruò)化(huà)或(huò)变(biàn)形(xíng)。

中(zhōng)国(guó)存(cún)储(chǔ)企(qǐ)业(yè)迎(yíng)来(lái)了(le)发(fā)展(zhǎn)新(xīn)机(jī)遇(yù)

在(zài)存(cún)储(chǔ)芯(xīn)片(piàn)市(shì)场(chǎng)新(xīn)一轮涨价潮以及行业格局变动的大背景下，中国存储企业迎来了诸多发展机遇，有望在市场份额拓展、技术创新和产业生态建设等方面实现突破，提升在全球存储芯片市场中的竞争力。

市场份额拓展层面，国际存储巨头因减产推高价格，为中国企业打开了价格竞争空间。长江存储凭借Xtacking技术，将存储单元与控制电路分离制造，通过混合键合技术解决信号干扰与散热难题，在提升芯片读写速度的同时，将生产成本降低约30%，这种“高性能+高性价比”组合使其在消费级SSD市场快速渗透，2024年全球NAND Flash市场份额从6%提升至9%。长鑫存储则聚焦DRAM领域，其17nm DDR4产品已通过三星、联想等头部客户认证，2024年DRAM出货量同比增长55%，在全球市场份额突破5%。此外，国内厂商依托本土供应链响应优势，在华为、小米等终端品牌的本土化配套需求中占据先机，华为2024年发布的Mate70系列手机中，长江存储的UFS 3.1芯片搭载比例达60%，较2023年提升40%。

技术创新领域，兆易创新在(zài)Serial NOR Flash市(shì)场(chǎng)持(chí)续(xù)领(lǐng)跑(pǎo)，2024年(nián)通(tōng)过(guò)近(jìn)存(cún)计(jì)算(suàn)技(jì)术(shù)研(yán)发(fā)，将(jiāng)芯(xīn)片(piàn)延(yán)迟(chí)降(jiàng)低(dī)至(zhì)5ns以(yǐ)下(xià)，其(qí)车(chē)规(guī)级(jí)产(chǎn)品(pǐn)已(yǐ)进(jìn)入(rù)比(bǐ)亚(yà)迪(dí)、蔚(wèi)来(lái)等(děng)车(chē)企(qǐ)的(de)供(gōng)应(yīng)链(liàn)。佰(bǎi)维(wéi)存(cún)储(chǔ)则(zé)在(zài)先(xiān)进(jìn)封(fēng)测(cè)领(lǐng)域发(fā)力(lì)，投(tóu)资(zī)12亿(yì)元(yuán)建(jiàn)设(shè)的(de)12英(yīng)寸(cùn)晶(jīng)圆(yuán)级(jí)封(fēng)测(cè)产(chǎn)线(xiàn)投(tóu)产(chǎn)，可(kě)实(shí)现(xiàn)HBM3E级(jí)别(bié)的(de)256层(céng)芯(xīn)片(piàn)堆(duī)叠(dié)，2024年(nián)研(yán)发(fā)投(tóu)入(rù)占(zhàn)比(bǐ)达(dá)18%，推(tuī)动(dòng)其(qí)AI服(fú)务(wu)器(qì)存(cún)储(chǔ)解(jiě)决(jué)方(fāng)案(àn)收(shōu)入(rù)同(tóng)比(bǐ)增(zēng)长(zhǎng)210%。

存(cún)储(chǔ)芯(xīn)片(piàn)市(shì)场(chǎng)的(de)新(xīn)一(yī)轮(lún)涨(zhǎng)价(jià)潮(cháo)，既(jì)是(shì)市(shì)场(chǎng)供(gōng)需(xū)关系(xì)调(diào)整(zhěng)的(de)结(jié)果(guǒ)，也(yě)是(shì)行(xíng)业(yè)技(jì)术(shù)发(fā)展(zhǎn)和(hé)应(yīng)用(yòng)拓(tà)展(zhǎn)的(de)体(tǐ)现，为存储企业带来了拓展市场份额、推动技术创新和完善产业生态的新机遇，同时也促使企业加大研发投入，提升技术创新能力，加强与产业链上下游企业的合作，共同应对市场的不确定性。