【导语】6月6日，美光科技宣(xuān)布(bù)成(chéng)功(gōng)出(chū)货(huò)全球(qiú)首(shǒu)款(kuǎn)采用(yòng)1γ制(zhì)程(chéng)节点的LPDDR5X内存认证样品。该内存专为加速旗舰智能手机AI应用设计，速率高达每秒10.7Gb，功耗降低20%，为移动设备带来更快、更流畅的体验与更长续航时间。美光通过缩小封装尺寸和优化DRAM节点技术，满足了市场对紧凑型解决方案的日益增长需求。此外，LPDDR5X内存不仅将变革智能手机设计，还可能广泛应用于数据中心、智能汽车和AI PC等领域，凭借其高性能与高能效优势引领行业发展。

6月6日，美光科技股份有限公司宣布已经开始出货全球首款采用1γ（1-gamma）制程节点的LPDDR5X内存认证样品。据了解，该产品专为加速旗舰智能手机上的AI应用而设计。美光LPDDR5X内存的速率达到每秒10.7Gb（Gbps），同时功耗可降低20%，为智能手机带来更快、更流畅的移动体验和更长的续航时间，即使在执行如AI翻译或图像生成等数据密集型任务时也能保证高性能。

当前，能耗密集型的移动AI工作负载越来越多地在端侧设备上处理，而非仅依赖云端。低功耗芯片对于执行AI运算时需要兼顾出色能效的智能手机等设备至关重要。因此，市场对新一代智能手机紧凑型解决方案的需求日益增长，美光成功将LPDDR5X的封装尺寸缩小至0.61毫米，较市面上的其他产品轻薄6%，较前一代产品高度降低14%。小型规格尺寸为智能手机制造商实现超薄或可折叠设计提供了更多可能。

美光基于1γ的LPDDR5X是公司首款采用先进EUV光刻技术的移动解决方案，目前正在美光的移动产品组合中逐步采用。该产品依托业界领先的内存节点技术，让客户能够率先体验性能与能效的突破。这项重要进展是在美光今年二月针对数据中心和客户端细分市场下一代CPU提供的1γDDR5内存样品基础上取得的。美光优化的1γ DRAM节点采用了CMOS技术，如用于提升晶体管性能的新一代HKMG（高K金属栅极）技术，并采用领先的EUV光刻工艺提升容量密度。

美光基于1γ的LPDDR5X可显著节省20%的功耗，使移动设备用户单次充电即可更持久畅享AI应用、游戏和视频内容。此外，随着AI应用对高性能、低功耗计算需求的不断增长，数据中心服务器、智能汽车和AI PC等设备也可能越来越多地采用LPDDR5X内存，以获得其兼具高性能与高能效的卓越优势。

美光副总裁暨手机和客户端业务部门总经理Mark Montierth表示：“美光基于1γ节点的LPDDR5X内存将为移动行业带来显著变革。这项突破性技术凭借业界超薄的LPDDR5X封装实现了卓越的速率和能效，为新一代智能手机的创新设计开辟新契机。”

美光基于1γ（节点的LPDDR5X为移动设备带来显著的性能跃升，加速AI洞察，提供更卓越的使用体验。例如，在基于大型语言模型Llama 2的移动AI响应时间测试中，相比基于1β（1-beta）节点、带宽为7.5 Gbps的LPDDR5X，基于1γ节点、带宽达10.7Gbps的LPDDR5X，可以使用户在询问基于地点的餐厅推荐时，回应速度提升30%；使用导航功能时，将英语语音查询转译为西班牙语文字的回应速度可提升50%以上。

目前，美光已向特定合作伙伴送样基于1γ节点的LPDDR5X 16GB产品，并将提供从8GB至32GB的多种容量用于2026年的旗舰智能手机。